JST中国文献ディレクトリ｜a‐Si太陽電池の新しい処理方法

整理番号	99A0911089
和文標題	a‐Si太陽電池の新しい処理方法
英文標題	Novel means for treating a.Si solar cell.
著者名	ZUO Q (General Res. Inst. Non-ferrous Metals, Beijing)
地域名（省レベル）	北京市	地域名（市レベル）
資料名	Taiyangneng Xuebao	和文資料名	太陽能学報
JST資料番号	W0629A	ISSN	0254-0096
巻号ページ（発行年月日）	Vol.20 No.3 Page.352-356 (1999)
発行国	China (CHN)	言語	Chinese (ZH)
抄録	通常,a‐Si薄膜太陽電池を処理するには逆電圧を加えて電気の漏れチャネルを切り離す従来の[電圧方法]を使用する。しかし,この方法はしばしば処理した試料に劣化を引き起こす。電気変化を試料の電流漏れに従って決定するいわゆる[Coulomb法]を提案した。処理した薄膜電池の性能は残りの電気変化に影響を受けなかった。したがって,この方法はa‐Si薄膜電池のR&Dに有用である。
シソーラス用語	ケイ素, 太陽電池, 半導体薄膜, 漏れ電流, 格子欠陥, 非晶質半導体, アモルファスシリコン
準シソーラス用語
物質索引